IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.63 грн |
| 10+ | 50.66 грн |
| 100+ | 39.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA60R1K0CEXKSA1 за ціною від 23.41 грн до 70.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA60R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA60R1K0CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |