IPA60R199CPXKSA1

IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies


1188794254944794dgdlfolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b4079.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+238.04 грн
10+ 226.76 грн
25+ 221.46 грн
50+ 188.65 грн
100+ 161.36 грн
250+ 150.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPA60R199CPXKSA1 за ціною від 183.87 грн до 314.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1188794254944794dgdlfolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+256.35 грн
Мінімальне замовлення: 48
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c720946ff Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.8 грн
50+ 214.53 грн
100+ 183.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+314.94 грн
10+ 227.1 грн
100+ 196.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1188794254944794dgdlfolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1188794254944794dgdlfolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R199CP_DS_v02_03_EN-3362319.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
товар відсутній
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній