![IPA60R160P6 IPA60R160P6](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3df79273f02a53ed863846765a12f005680fa9b8/3to-220fp.jpg)
IPA60R160P6 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 242.09 грн |
53+ | 232.87 грн |
100+ | 224.96 грн |
250+ | 210.35 грн |
500+ | 189.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R160P6 Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA60R160P6 за ціною від 119.21 грн до 269.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA60R160P6 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V |
товар відсутній |