![IPA60R060P7 IPA60R060P7](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4bd396939a814c3c326c5e42c362efecdc1abb27/600v_p7_to-220-fullpak.jpg)
IPA60R060P7 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 569.35 грн |
25+ | 544.89 грн |
50+ | 524.13 грн |
100+ | 488.26 грн |
250+ | 438.39 грн |
500+ | 409.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R060P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 29W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA60R060P7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA60R060P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPA60R060P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |