IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.83 грн |
| 50+ | 51.83 грн |
| 100+ | 37.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.4W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA50R800CEXKSA2 за ціною від 21.05 грн до 77.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.4W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.6A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.4W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.6A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.4W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
товар відсутній |