![IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/373612ce4d4671d19e7b2e4646ea105cf48a5ec7/ipan60r800cexksa1.jpg)
IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 46.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA50R500CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA50R500CEXKSA2 за ціною від 31.85 грн до 95.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ |
товар відсутній |