![IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f2c4f55308a6954c12d9a07e7244f16540bb802e/ipa60r600e6xksa1.jpg)
IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 237.27 грн |
10+ | 211.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA50R250CPXKSA1 за ціною від 159.49 грн до 255.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550 Dauer-Drainstrom Id: 13 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |