![IPA320N20NM3SXKSA1 IPA320N20NM3SXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5733/448%7EP-PG-TO220-FULLPACK%7E%7E3.jpg)
IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 89µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.12 грн |
10+ | 154.19 грн |
100+ | 122.73 грн |
500+ | 97.45 грн |
1000+ | 82.69 грн |
2000+ | 78.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA320N20NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.0272 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA320N20NM3SXKSA1 за ціною від 145.87 грн до 194.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA320N20NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0272ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
IPA320N20NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
IPA320N20NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPA320N20NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IPA320N20NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 104A Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A |
товар відсутній |