![IPA180N10N3GXKSA1 IPA180N10N3GXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/956/448%3BPG-TO220-3%3B%3B3.jpg)
IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
![IPA180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122602bfa617f29](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
399+ | 52.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPA180N10N3GXKSA1 за ціною від 54.39 грн до 54.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IPA180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IPA180N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
товар відсутній |