![IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A1/8E/00/00/0/59418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=263cfba794860b61634ab5d386e1ae684a34b3d1)
IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.84 грн |
10+ | 87.12 грн |
11+ | 77.61 грн |
31+ | 73.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPA083N10NM5SXKSA1 за ціною від 63.87 грн до 141.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |