![IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2015/2/15/9/0/1/681/smn_/manual/ipa083n10n5.jpg)
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPA083N10N5XKSA1 за ціною від 52.45 грн до 181.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 Код товару: 190081 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 44 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 36 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 5 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |