![IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/9/22/8/16/25/119/smn_/manual/to-220full-pack-3.jpg)
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPA075N15N3GXKSA1 за ціною від 211.75 грн до 569.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |