![IPA040N08NM5SXKSA1 IPA040N08NM5SXKSA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/0F/F5/C0/00/0/810992_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=bcaadbc4cb66575ebaf24d42d24984528779e8b1)
IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![Infineon-IPA040N08NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cf4ced66e27](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 53A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.52 грн |
9+ | 96.64 грн |
24+ | 91.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0034 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA040N08NM5SXKSA1 за ціною від 109.82 грн до 206.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 300A; 39W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP On-state resistance: 4mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 53A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |