![IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c8ca2236f488e4ab23a304ac89eb1280fe9977a4/infineon-to-220-fullpak.jpg)
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
89+ | 136.61 грн |
103+ | 117.53 грн |
109+ | 111.5 грн |
500+ | 90.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPA029N06NM5SXKSA1 за ціною від 69.44 грн до 182.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |