![IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5733/448%7EP-PG-HSOF-8-3%7E%7E8.jpg)
IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 795.28 грн |
10+ | 656.29 грн |
100+ | 546.92 грн |
500+ | 452.88 грн |
1000+ | 407.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMT65R039M1HXUMA1 за ціною від 438.58 грн до 975.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товар відсутній |