Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R008M2HXTMA1
IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R008M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21ffb9d62088 Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3387.37 грн
10+ 2458.36 грн
100+ 2288.03 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SIC DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V.

Інші пропозиції IMBG120R008M2HXTMA1 за ціною від 2364.88 грн до 3858.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG120R008M2H_DataSheet_v01_10_EN-3421248.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3858.74 грн
10+ 3371.18 грн
25+ 2756.85 грн
50+ 2664.11 грн
100+ 2572.82 грн
250+ 2480.8 грн
500+ 2364.88 грн
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R008M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21ffb9d62088 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
товар відсутній