![IMB10AT110 IMB10AT110](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2598/SC-74%2C%20SOT-457.jpg)
IMB10AT110 Rohm Semiconductor
![datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMB10AT110 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції IMB10AT110 за ціною від 5.76 грн до 29.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMB10AT110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IMB10AT110 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 155-164 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IMB10AT110 |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IMB10AT110 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IMB10AT110 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |