на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 669.15 грн |
| 10+ | 619.52 грн |
| 25+ | 398.63 грн |
| 100+ | 349.15 грн |
| 240+ | 328.94 грн |
| 480+ | 308.04 грн |
| 1200+ | 276.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns, Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off), Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 166 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKZ75N65EH5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IKZ75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IKZ75N65EH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товар відсутній |