IKY75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IKY75N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8176aea052c](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 819.61 грн |
30+ | 661.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKY75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 150A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 292 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.
Інші пропозиції IKY75N120CH3XKSA1 за ціною від 767.87 грн до 1647.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY75N120CH3XKSA1 Код товару: 143781 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247PLUS-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 70ns Turn-off time: 335ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IKY75N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247PLUS-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 70ns Turn-off time: 335ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |