IKP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IKP30N65H5XKSA1 за ціною від 78.48 грн до 232.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKP30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 36A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IKP30N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 36A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |