![IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2012/10/18/6/0/15/290/smn_/manual/p-pg-to220-3-1to-2203pin.jpg)
IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies
![5985ikp06n60trev2_3g5b15d.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 46.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns, Switching Energy: 200µJ, Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 42 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 88 W.
Інші пропозиції IKP06N60TXKSA1 за ціною від 42.46 грн до 144.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKP06N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |