![IKFW90N60EH3XKSA1 IKFW90N60EH3XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/6/5/6/33/44/368/smn_/manual/trenchstop_advanced-isolation_hsip247-3-1_combi.jpg_.jpg)
IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 416.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW90N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 77A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 440 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 77 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 178 W.
Інші пропозиції IKFW90N60EH3XKSA1 за ціною від 537.69 грн до 983.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 440 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 77 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 178 W |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 77A; 178W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Case: TO247-3 Power dissipation: 178W Technology: TRENCHSTOP™ Gate charge: 440nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 77A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 77ns Turn-off time: 237ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IKFW90N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 77A; 178W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Case: TO247-3 Power dissipation: 178W Technology: TRENCHSTOP™ Gate charge: 440nC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 77A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 77ns Turn-off time: 237ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |