IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.97 грн
10+400.77 грн
240+342.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1 за ціною від 343.87 грн до 607.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.48 грн
10+404.19 грн
240+343.87 грн
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 1755300373416360infineon-ikfw60n60eh3-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46262b31d2e01630.pdf High speed switching series third generation IGBT
товару немає в наявності
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
IKFW60N60EH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності