на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 566.97 грн |
10+ | 400.77 грн |
240+ | 342.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IKFW60N60EH3XKSA1 за ціною від 343.87 грн до 607.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tube Part Status: Active |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | High speed switching series third generation IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | High speed switching series third generation IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
IKFW60N60EH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |