IKFW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 69 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 127 W
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 428.83 грн |
| 30+ | 329.77 грн |
| 120+ | 305.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKFW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 69 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 127 W.
Інші пропозиції IKFW50N65ES5XKSA1 за ціною від 351.23 грн до 480.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKFW50N65ES5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 127 Bauform - Transistor: HSIP247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IKFW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001728802 |
товар відсутній |
||||||||||||
| IKFW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High Speed Fast IGBT |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
IKFW50N65ES5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |