IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 60.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns, Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKD15N60RFATMA1 за ціною від 46.33 грн до 139.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 17951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 5588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKD15N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |