![IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 53.31 грн |
5000+ | 49.4 грн |
12500+ | 47.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns, Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKD15N60RATMA1 за ціною від 47.21 грн до 143.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
на замовлення 7198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 18770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2052 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
на замовлення 7198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |