IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 207.96 грн |
| 500+ | 181.49 грн |
| 1000+ | 146.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 78 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції IKB40N65EH5ATMA1 за ціною від 144.96 грн до 381.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs N |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKB40N65EH5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |