Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5ATMA1

IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+120.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns, Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IKB30N65EH5ATMA1 за ціною від 112.25 грн до 256.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+160.36 грн
10+ 151.25 грн
25+ 149.09 грн
100+ 133.04 грн
250+ 121.66 грн
500+ 112.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+172.69 грн
75+ 162.89 грн
76+ 160.56 грн
100+ 143.28 грн
250+ 131.02 грн
500+ 120.88 грн
Мінімальне замовлення: 70
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB30N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362062.pdf IGBTs N
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.02 грн
10+ 214.2 грн
25+ 183.45 грн
100+ 153.93 грн
250+ 151.82 грн
500+ 138.46 грн
1000+ 115.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB30N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd134705491a Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.98 грн
10+ 207.86 грн
100+ 168.14 грн
500+ 140.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товар відсутній
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb30n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товар відсутній
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
товар відсутній