IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 129.77 грн |
| 10+ | 87.44 грн |
| 11+ | 83.77 грн |
| 29+ | 79.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 69 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns, Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off), Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції IKA15N65ET6XKSA2 за ціною від 79 грн до 212.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKA15N65ET6XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IKA15N65ET6XKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 11A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 57.5A Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Manufacturer series: T6 Turn-on time: 50ns Turn-off time: 202ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKA15N65ET6XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKA15N65ET6XKSA2 - IGBT, 17 A, 1.5 V, 45 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IKA15N65ET6XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IKA15N65ET6XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 69 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A Power - Max: 45 W |
товар відсутній |