![IKA15N60TXKSA1 IKA15N60TXKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3a238c059c999772f99da05bfde32b1ddacf1b0e/product_image_to-220_fullpak.jpg)
IKA15N60TXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 73.65 грн |
10+ | 70.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKA15N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 14.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14.7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 35.7 W.
Інші пропозиції IKA15N60TXKSA1 за ціною від 60.73 грн до 181.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.3A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10.6A Power dissipation: 35.7W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 35.7 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IKA15N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10.6A Power dissipation: 35.7W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |