IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IGW75N65H5XKSA1 за ціною від 168.69 грн до 532.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IGW75N65H5XKSA1 Код товару: 174179 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IGW75N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |