![IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 432 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 446.04 грн |
10+ | 401.54 грн |
25+ | 298.38 грн |
100+ | 257.47 грн |
240+ | 249 грн |
480+ | 197.51 грн |
1200+ | 186.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 4.5mJ, Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W.
Інші пропозиції IGW75N60TFKSA1 за ціною від 215.89 грн до 632.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |