на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.62 грн |
10+ | 284.84 грн |
25+ | 233.5 грн |
100+ | 200.14 грн |
240+ | 188.07 грн |
480+ | 177.43 грн |
1200+ | 151.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N60T Infineon Technologies
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції IGW50N60T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IGW50N60T | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
товару немає в наявності |