![IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/19/813/smn_/manual/ikw50n65es5.jpg)
IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.
Інші пропозиції IGW40N65F5FKSA1 за ціною від 114.99 грн до 366.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IGW40N65F5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |