![IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2015/2/2/6/57/41/279/smn_/manual/ikw30n65nl5.jpg)
IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW30N65L5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW30N65L5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IGW30N65L5XKSA1 за ціною від 124.05 грн до 401.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IGW30N65L5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns |
товар відсутній |