![IGW08T120 IGW08T120](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
IGW08T120 Infineon Technologies
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 265.87 грн |
10+ | 253.26 грн |
25+ | 181.2 грн |
100+ | 155.41 грн |
240+ | 147.05 грн |
480+ | 137.99 грн |
1200+ | 135.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW08T120 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 8A, Power dissipation: 70W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IGW08T120
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGW08T120 | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
![]() |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
IGW08T120 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 8A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor |
товар відсутній |