![IGT60R190D1ATMA1 IGT60R190D1ATMA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2981532-40.jpg)
IGT60R190D1ATMA1 INFINEON
![3971028.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ColGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 386.35 грн |
50+ | 322.14 грн |
100+ | 296.69 грн |
250+ | 296.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT60R190D1ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ColGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IGT60R190D1ATMA1 за ціною від 296.01 грн до 533 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ColGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
IGT60R190D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |