IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 72.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції IGP20N65F5XKSA1 за ціною від 96.62 грн до 171.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 42A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IGP20N65F5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |