IGLD60R190D1AUMA3 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 360.83 грн |
| 100+ | 250.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD60R190D1AUMA3 INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IGLD60R190D1AUMA3 за ціною від 185.52 грн до 511.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HV GAN DISCRETES |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005557217 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
товар відсутній |