![IDWD15G120C5XKSA1 IDWD15G120C5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/5/14/8/41/24/865573/smn_/manual/idwd10g120c5xksa1.jpg)
IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 82nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDWD15G120C5XKSA1 за ціною від 379.82 грн до 808.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 43440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC |
товар відсутній |