![IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON
![Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1116.46 грн |
5+ | 1010.02 грн |
10+ | 903.58 грн |
50+ | 814.14 грн |
100+ | 728.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDW40G65C5BXKSA2 за ціною від 760.49 грн до 1244.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 112W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Power dissipation: 112W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IDW40G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 112W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Power dissipation: 112W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA |
товар відсутній |