![IDW32G65C5BXKSA2 IDW32G65C5BXKSA2](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 795.18 грн |
10+ | 738.14 грн |
25+ | 640.46 грн |
50+ | 639.07 грн |
100+ | 621.65 грн |
240+ | 542.2 грн |
1200+ | 497.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW32G65C5BXKSA2 за ціною від 667.15 грн до 938.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW32G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
IDW32G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16Ax2; 188W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A x2 Power dissipation: 188W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 74A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 3.2µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IDW32G65C5BXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16Ax2; 188W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A x2 Power dissipation: 188W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 74A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 3.2µA |
товар відсутній |