![IDW20G65C5XKSA1 IDW20G65C5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/1/10/1/33/6/714/smn_/manual/idw20g65c5xksa1.jpg)
IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 278.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW20G65C5XKSA1 за ціною від 261.99 грн до 775.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDW20G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW20G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IDW20G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 112W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IDW20G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 112W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 112W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.8V |
товар відсутній |