IDW16G65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW16G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 23nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDW16G65C5XKSA1 за ціною від 225.73 грн до 637.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW16G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW16G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW16G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 74A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDW16G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDW16G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 74A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|