![IDT08S60C IDT08S60C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1.jpg)
IDT08S60C Infineon Technologies
![INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 213.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDT08S60C Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDT08S60C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IDT08S60C Код товару: 86976 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
IDT08S60C | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |