IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 45.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDP30E65D2XKSA1 за ціною від 79.43 грн до 174.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP30E65D2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IDP30E65D2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|