![IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/0/984/smn_/manual/idp20e65d2xksa1.jpg)
IDP30E120XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP30E120XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A TO220-2-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 243 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDP30E120XKSA1 за ціною від 116.45 грн до 249.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; TO220-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Case: TO220-2 |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; TO220-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Case: TO220-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
IDP30E120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |