IDM10G120C5XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 221.14 грн |
| 250+ | 216.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM10G120C5XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDM10G120C5XTMA1 за ціною від 160.99 грн до 427.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers Y |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; PG-TO252-2; 223W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Case: PG-TO252-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 4µA Max. forward impulse current: 84A Power dissipation: 223W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; PG-TO252-2; 223W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Case: PG-TO252-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 4µA Max. forward impulse current: 84A Power dissipation: 223W |
товар відсутній |