IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDM08G120C5XTMA1 за ціною від 121.59 грн до 268.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+196.33 грн
500+ 177.91 грн
1000+ 160.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361938.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.4 грн
10+ 227.13 грн
100+ 163.77 грн
500+ 146.9 грн
1000+ 127.92 грн
2500+ 121.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+263.35 грн
10+ 242.85 грн
100+ 196.33 грн
500+ 177.91 грн
1000+ 160.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.39 грн
10+ 217.01 грн
100+ 175.58 грн
500+ 146.47 грн
1000+ 125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-ds-v02_00-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній