Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDL02G65C5XUMA2
IDL02G65C5XUMA2

IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.

Інші пропозиції IDL02G65C5XUMA2 за ціною від 36.2 грн до 143.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDL02G65C5_DS_v02_00_en-1131217.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.24 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.11 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 40.77 грн
3000+ 36.62 грн
6000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.7 грн
10+ 88.59 грн
100+ 59.93 грн
500+ 44.67 грн
1000+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies 42812013_12_05_idl02g65c5_final_datasheet_vs.pdffolderiddb3a30431d8a6.pdf Diode Schottky 650V 2A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній